ایک بار موبائل فون چارج کریں اور پورا ہفتہ استعمال کریں، جدید ترین ٹیکنالوجی متعارف کروا دی گئی
نئی سیمی کنڈکٹر چپ پر ٹرانسسٹرز کو چپٹی سطح کی بجائے عمودی انداز میں نصب کیا گیا ہے . اس ڈیزائن کو '' نیو ورٹیکل ٹرانسپورٹ فیلڈ ایفیکٹ ''(VTFET) قرار دیا گیا ہے . اس جدید ڈیزائن کی بدولت اب زیادہ تعداد میں ٹرانسسٹرز کم جگہ پر آسکیں گے اور کرنٹ کا بہاؤ بھی بہتر ہوسکے گا . جبکہ اس سے بجلی کی 85 فیصد بچت ممکن ہوگی . ا س وقت سیمی کنڈکٹر چپس کی تیاری میں FinFETٹیکنالوجی استعمال کی جارہی ہے . ''انٹیل '' اور دوسری بڑی کمپنیاں بھی اپنے آنیوالے جدید ٹرانسسٹر Ribbon FET کی تیاری کے لئے اب اسی ٹیکنالوجی کو اختیارکریں گی جس کو انٹیل 20 A ورژن میں استعمال کیا جائے گا . جبکہ کرپٹو کرنسی مائننگ کرنیوالی کمپنیاں اب کم ریسورسز استعمال کرکے زیادہ کمائی کرسکیں گی خلائی جہاز سے لے کر کاروں تک اور موبائل فونز تک ہر ڈیوائس میں انتہائی کم انرجی کے استعمال سے زیادہ سے زیادہ پرفارمنس حاصل کی جاسکے گی . . .
